晶片處理
濕法清洗
用丙酮、三氯乙烯和超純水等溶劑清洗
Piranha溶液
RCA清洗
表面鈍化
光刻技術(shù)
離子植入（將摻雜物嵌入晶圓中，形成導(dǎo)電性增加或減少的區(qū)域）
蝕刻（微細(xì)加工）
幹法蝕刻（等離子體蝕刻）
反應(yīng)性離子蝕刻（RIE）
深度反應(yīng)性離子蝕刻
原子層蝕刻（ALE）
濕法蝕刻
緩衝氧化物蝕刻
等離子灰化
熱處理
快速熱退火
熔爐退火
熱氧化
化學(xué)氣相沉積（CVD）
原子層沉積（ALD）
物理氣相沉積（PVD）
分子束外延（MBE）
鐳射解除（用於LED生產(chǎn)[32]）。
電化學(xué)沉積（ECD）。 見電鍍
化學(xué)-機(jī)械拋光（CMP）
晶片測(cè)試（使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)電氣性能進(jìn)行驗(yàn)證，在這一步驟中還可能進(jìn)行分片和/或鐳射修剪）
模具準(zhǔn)備
矽通孔製造（用於三維積體電路）
晶圓安裝（使用切割膠帶將晶圓安裝在金屬框架上）。
晶圓回磨和拋光[33]（對(duì)於像智慧卡或PCMCIA卡這樣的薄型設(shè)備或晶圓鍵合和堆疊，減少晶圓的厚度，這也可能發(fā)生在晶圓切割過(guò)程中，稱為先切割後研磨或DBG[34][35]）。
晶片粘接和堆疊（對(duì)於三維積體電路和MEMS）。
再分配層的製造（對(duì)於WLCSP封裝）。
晶圓凸起（對(duì)於倒裝晶元BGA（球柵陣列）和WLCSP封裝）。
晶片切割或晶圓切割
IC封裝
晶片附著（使用導(dǎo)電膏或晶元附著膜將晶片附著在引線框架上[36][37]）
IC粘接。 電線鍵合、熱聲鍵合、倒裝晶元或膠帶自動(dòng)鍵合（TAB）。
IC封裝或整合散熱器（IHS）安裝
模塑（使用特殊的模塑化合物，可能含有玻璃粉作為填充物）
烘烤
電鍍（在引線框架的銅
引線上鍍上錫，使焊接更容易）。
鐳射打標(biāo)或絲網(wǎng)印刷
修剪和成型（將引線框架相互分離，並彎曲引線框架的引腳，以便將其安裝在印刷電路板上）。
IC測(cè)試
此外，還可以進(jìn)行諸如賴特蝕刻等步驟。
