晶片處理
濕法清洗
用丙酮、三氯乙烯和超純水等溶劑清洗
Piranha溶液
RCA清洗
表面鈍化
光刻技術(shù)
離子植入（將摻雜物嵌入晶圓中，形成導(dǎo)電性增加或減少的區(qū)域）
蝕刻（微細(xì)加工）
干法蝕刻（等離子體蝕刻）
反應(yīng)性離子蝕刻（RIE）
深度反應(yīng)性離子蝕刻
原子層蝕刻(ALE)
濕法蝕刻
緩沖氧化物蝕刻
等離子灰化
熱處理
快速熱退火
熔爐退火
熱氧化
化學(xué)氣相沉積(CVD)
原子層沉積(ALD)
物理氣相沉積(PVD)
分子束外延(MBE)
激光解除（用于LED生產(chǎn)[32]）。
電化學(xué)沉積（ECD）。見電鍍
化學(xué)-機(jī)械拋光（CMP）
晶片測試（使用自動測試設(shè)備對電氣性能進(jìn)行驗(yàn)證，在這一步驟中還可能進(jìn)行分片和/或激光修剪）
模具準(zhǔn)備
硅通孔制造（用于三維集成電路）
晶圓安裝（使用切割膠帶將晶圓安裝在金屬框架上）。
晶圓回磨和拋光[33]（對于像智能卡或PCMCIA卡這樣的薄型設(shè)備或晶圓鍵合和堆疊，減少晶圓的厚度，這也可能發(fā)生在晶圓切割過程中，稱為先切割后研磨或DBG[34][35]）。
晶片粘接和堆疊（對于三維集成電路和MEMS）。
再分配層的制造（對于WLCSP封裝）。
晶圓凸起（對于倒裝芯片BGA（球柵陣列）和WLCSP封裝）。
芯片切割或晶圓切割
IC封裝
芯片附著（使用導(dǎo)電膏或芯片附著膜將芯片附著在引線框架上[36][37])
IC粘接。電線鍵合、熱聲鍵合、倒裝芯片或膠帶自動鍵合（TAB）。
IC封裝或集成散熱器（IHS）安裝
模塑（使用特殊的模塑化合物，可能含有玻璃粉作為填充物）
烘烤
電鍍（在引線框架的銅
引線上鍍上錫，使焊接更容易）。
激光打標(biāo)或絲網(wǎng)印刷
修剪和成型（將引線框架相互分離，并彎曲引線框架的引腳，以便將其安裝在印刷電路板上）。
IC測試
此外，還可以進(jìn)行諸如賴特蝕刻等步驟。
